5月6日，TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大等因素，2023年至2025年HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023年至2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM占DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

　　价格方面，吴雅婷表示，供应商在今年第二季度起已针对2025年HBM进行议价。不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能挤出效应，供应商已经对HMB价格初步调涨5%至10%，包括HBM2e，HBM3与HBM3e。

　　吴雅婷认为，供应商议价时间提早于第二季，源于三大原因，一是由于HBM买方对于AI需求展望仍具有高度信心，愿意接受价格续涨；二是HBM3e的TSV良率目前仅约40%至60%，仍有待提升，HBM买方也愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；三是未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异。

　　展望2025年，吴雅婷认为，从主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi（12个DRAM堆叠）的产品出现，带动单芯片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce集邦咨询预估，2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望将再翻倍。